Негативный резист ma-N 2400 широко используется в микро- и наноэлектронике для создания и изменения структур в Si, SiO2, металлах и полупроводниках. Подходит для электронной литографии, фотолитографии в ГУФ, а также используется для создания штампа в технологии наноимпринтной литографии. Кроме того, обладает высокой термической и химической устойчивостью, что позволяет использовать его для процессов травления. Данный резист позволяет получать разрешения до 30 нм.

• Тон: негативный.
• Толщина плёнки: 0,1 – 1 мкм.
• Экспонирование: электронным лучом или ГУФ.
• Проявление: воднощелочными растворами.

По вопросам приобретения  и получения подробной консультации по свойствам продукции, условиям поставки и заключению договора просим Вас обратиться к менеджерам