Главная страница » Продукция » Материалы » Полимерные материалы » Износоустойчивые фотошаблоны
Износоустойчивые фотошаблоны

Износоустойчивые фотошаблоны  из углерода, нанесенного центрифугированием – ключевые компоненты  при изготовлении микрочипов. Они часто используются для улучшения селективности резистов к кремнию  во время плазменного травления, и вследствие того, что  архитектура кристалла  становится все более сложной,  использование износоустойчивых фотошаблонов улучшает соотношение сторон кремния.

Износоустойчивые фотошаблоны  из углерода, нанесенного центрифугированием IM , представляют собой материалы на основе фуллерена с высоким содержанием углерода, что обеспечивает прорыв в производительности, который позволяет создавать точные, высококачественные характеристики при более малых габаритах. Материал  используется  в ультрасовременных конструкциях 3-D микро-чипов, МЭМС, НЭМС и при замене существующих дорогостоящих процессов газофазного осаждения.

Материал применяется:

  • Устройства со сверхвысоким разрешением (менее 20нм)
  • Заменяет аморфный углерод
  • Глубокое травление субмикронных МЭМС и НЭМС
  • Проектирование 3-D микрочипов
  • Структуры многослойного травления
Характеристики материала:

  • Высокое содержание углерода
  • Высокая стойкость к травлению
  • Разрешение структуры 20nm
  • Высокое аспектное удлинение (>15:1 при  менее 20 нм)
  • Устраняет необходимость в аморфном углероде

По вопросам приобретения Износоустойчивых фотошаблонов  из углерода, нанесенного центрифугированием и получения подробной консультации по свойствам продукции, условиям поставки и заключению договора просим Вас обратиться к менеджерам.