TiW etch 200
Травитель Титан-Вольфрам
Общая информация
TiW etch 200 применяется в качестве травителя для титана при химическом травлении слоев TiW с селективностью по отношению к таким металлам, как Au, Pt, Ni, Cr. Обычно применяется в полупроводниковой или микросистемной технологии для травления адгезионных слоев или диффузионных барьеров.
Свойства продукта
- Низкий подрез (в пределах толщины слоя), минимальный размер элемента < 1 мкм
- Селективность по отношению ко многим материалам, например, к распространённым металлам, используемым в гальванической промышленности
- Совместимость для защиты от маскировки
Селективность
TiW etch 200 совместим/вытравливает следующие материалы:
- Фоторезисты: обычный Novolak в качестве маскирующего фоторезиста (например, AZ® Фоторезист)
- Металлы: не воздействуют на Au, Pt, Ni, Cr
- Металлы: атакованный TiW, Cu
- Полупроводниковые материалы: Si, SiO2, Si3N4
Данные о селективности и совместимости являются информацией производителя и не претендуют на полноту. Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения более подробной информации.
Скорость травления
При нормальных условиях скорость травления составляет около 5 нм/мин (при комнатной температуре). Смешанный раствор для травления стабилен во времени и может использоваться многократно в зависимости от требований к применению. Рекомендуется утилизировать раствор не позднее, чем когда скорость травления изменится на 20%.
По вопросам приобретения TiW Etch 200 и получения подробной консультации по свойствам продукции, условиям поставки и заключению договора просим Вас обратиться к менеджерам.