Фоторезист TI 35E

Устойчивость к перевороту изображения

Общая информация

TI 35E
TI 35E для резиста толщиной от 2,5 до 5 мкм (линии g-, H- и I-) — это резист с обратным изображением и оптимизированной адгезией, однако по сравнению с TI 35ESX он имеет более низкую температуру размягчения. В результате он лучше подходит для процессов химического травления.

Свойства продукта

• Оптимизированная адгезия ко всем распространенным материалам подложки
• Широкий диапазон технологических параметров для стабильных и воспроизводимых лито-процессов
• Совместим со всеми распространенными средствами для снятия изоляции (например, с AZ^® 100 Remover, органическими растворителями или водными щелочными растворами)
• Чувствителен к g-, h- и i-линиям (приблизительно 320–440 нм)
• Диапазон толщины защитной плёнки составляет примерно 2,5–5 мкм

Разработчики

Если можно использовать проявители, содержащие ионы металлов, то проявитель AZ^® 400K на основе KOH в разбавлении 1:4 (для более толстых пленок резиста возможно разбавление 1:3,5 — 1:3) является подходящим проявителем.
Если необходимо использовать проявители без ионов металлов, мы рекомендуем проявитель AZ^® 2026 MIF на основе TMAH (в неразбавленном виде).

Средства для удаления

В качестве съемника для несшитых резистивных пленок можно использовать AZ^® 100 Remover, DMSO или другие распространенные органические растворители. Если пленка резиста сшита (например, при высоких температурах > 140 ° C, во время плазменных процессов, таких как сухое травление, или во время ионной имплантации), мы рекомендуем не содержащий NMP TechniStrip P1316 в качестве средства для удаления. AZ^® 920 Remover также может стать хорошим выбором в случае сильно въевшихся, трудноудаляемых остатков краски.

Истончение / Удаление краевых выступов

Для разбавления и удаления наплывов мы рекомендуем использовать AZ^® EBR Solvent или PGMEA.