Si + dry SiO2 wafer 1 inch 500 um (100) SSP
Первичная пластина FZ-Si + сухой SiO2, 1 дюйм, толщина = 500 ± 25 мкм, (100), односторонняя полировка, TTV < 10 мкм, 20–100000 Ом·см, 25 нм термического SiO2 (+/- 15 %, при максимальных усилиях +/- 10 %) с обеих сторон, первичная плоская пластина 8 мм, собственная/без легирования
Свойства
| Диаметр (круглый): | 1 дюйм |
|---|---|
| Материал: | Si + SiO2 (сухой) (20 нм) |
| Ориентация: | 100 |
| Качество: | Первичный |
| Удельное сопротивление: | 1000 — 10000 Ом, см |
| Толщина SiO2: | 0 — 100 нм |
| Поверхность: | 1-боковая полированная поверхность |
| Толщина: | 401 — 500 мкм |
По вопросам приобретения Первичная пластина Si + SiO2 (сухая) (20 нм) 500 мкм 100 и получения подробной консультации по свойствам продукции, условиям поставки и заключению договора просим Вас обратиться к менеджерам.