Приборы на основе GaN, такие как высокоэффективные светодиоды и инжекционные лазеры на видимую/ультрафиолетовую область спектра, УФ фотоприёмники, мощные СВЧ-транзисторы в ближайшие десятилетия будут определять развитие опто- и СВЧ-электроники. В России объявлена президентская программа «Новый свет», важнейшей частью которой должно стать массовое производство светодиодов на основе нитрида галлия.
Параметры структур для квазиподложек нитрида галлия
Тип структуры | n – Al2O3 (подложка) n – GaN (эпитаксиальный слой) |
Параметры подложки: | |
плоскость ориентации | c (0001) r (1012) |
толщина, мкм | 430 |
Буферный слой Ti, нм | 30 |
Параметры эпитаксиального слоя: | |
концентрация носителей заряда, см-3 | (300К)>1018 |
толщина, мкм | 300-400 |
Площадь структуры, см2 | 20 |
По вопросам приобретения Эпитаксиальные слои GaN и получения подробной консультации по свойствам продукции, условиям поставки и заключению договора просим Вас обратиться к менеджерам.